SEMIKRON SKM100GB125DN

El módulo IGBT SEMIKRON SKM100GB125DN es una solución confiable y de alto rendimiento diseñada para aplicaciones de conversión de energía, como sistemas fotovoltaicos, inversores y UPS. Con tecnología de chip NPT IGBT ultrarrápida, este módulo combina eficiencia y velocidad en una estructura de transistor/transistor con topología de medio puente.

El módulo soporta una corriente nominal de 75 A, una corriente de colector máxima de 80 A, y una corriente de colector en impulso de hasta 150 A. Ofrece una tensión de retorno máxima de 1.2 kV y una tensión de entrada-emisor de ±20 V, lo que asegura un funcionamiento robusto en aplicaciones de alta potencia.

Con dimensiones compactas de 95 x 35 x 31 mm y un encapsulado SEMITRANS 2N, este módulo facilita la integración en sistemas eléctricos. Su montaje eléctrico y mecánico por atornillado, junto con terminales FASTON, garantiza una instalación rápida y segura.

Ideal para entornos exigentes, el SKM100GB125DN es la elección perfecta para maximizar la eficiencia y confiabilidad en sistemas de conversión de energía.

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Especificaciones

• Fabricante: SEMIKRON
• Número de pieza: 21915390
• Tipo de producto: SKM100GB125DN
• Línea de productos: SEMITRANS
• Versión: D93
• Tipo de módulo: IGBT
• Estructura del semiconductor: Transistor/Transistor
• Topología: Medio puente IGBT
• Tecnología de chip: NPT IGBT (ultrarrápido)
• Carcasa: SEMITRANS 2N
• Tensión de retorno máxima: 1.2 kV (1200 V)
• Tensión entrada – emisor: ±20 V
• Corriente nominal: 75 A
• Corriente de colector: 80 A
• Corriente de colector en impulso: 150 A
• Dimensiones: 95 x 35 x 31 mm
• Montaje eléctrico: Atornillado, terminales FASTON
• Montaje mecánico: Atornillado
• Uso: Fotovoltaica, inversor, UPS
• Interruptores: Medio puente