Descripción
El módulo IGBT SEMIKRON SKM100GB125DN es una solución confiable y de alto rendimiento diseñada para aplicaciones de conversión de energía, como sistemas fotovoltaicos, inversores y UPS. Con tecnología de chip NPT IGBT ultrarrápida, este módulo combina eficiencia y velocidad en una estructura de transistor/transistor con topología de medio puente.
El módulo soporta una corriente nominal de 75 A, una corriente de colector máxima de 80 A, y una corriente de colector en impulso de hasta 150 A. Ofrece una tensión de retorno máxima de 1.2 kV y una tensión de entrada-emisor de ±20 V, lo que asegura un funcionamiento robusto en aplicaciones de alta potencia.
Con dimensiones compactas de 95 x 35 x 31 mm y un encapsulado SEMITRANS 2N, este módulo facilita la integración en sistemas eléctricos. Su montaje eléctrico y mecánico por atornillado, junto con terminales FASTON, garantiza una instalación rápida y segura.
Ideal para entornos exigentes, el SKM100GB125DN es la elección perfecta para maximizar la eficiencia y confiabilidad en sistemas de conversión de energía.
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Especificaciones
- Fabricante: SEMIKRON
- Número de pieza: 21915390
- Tipo de producto: SKM100GB125DN
- Línea de productos: SEMITRANS
- Versión: D93
- Tipo de módulo: IGBT
- Estructura del semiconductor: Transistor/Transistor
- Topología: Medio puente IGBT
- Tecnología de chip: NPT IGBT (ultrarrápido)
- Carcasa: SEMITRANS 2N
- Tensión de retorno máxima: 1.2 kV (1200 V)
- Tensión entrada – emisor: ±20 V
- Corriente nominal: 75 A
- Corriente de colector: 80 A
- Corriente de colector en impulso: 150 A
- Dimensiones: 95 x 35 x 31 mm
- Montaje eléctrico: Atornillado, terminales FASTON
- Montaje mecánico: Atornillado
- Uso: Fotovoltaica, inversor, UPS
- Interruptores: Medio puente
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