SEMIKRON SKM200GB125D

El módulo IGBT SEMIKRON SKM200GB125D es una solución avanzada diseñada para aplicaciones de potencia que requieren alta eficiencia y confiabilidad. Con tecnología NPT IGBT ultrarrápida, este módulo ofrece un rendimiento óptimo en configuraciones de medio puente dual, ideal para sistemas de conversión y control de energía.

Este componente soporta una corriente máxima continua del colector de 200 A y una tensión máxima colector-emisor de 1200 V, asegurando un desempeño robusto bajo condiciones exigentes. Su encapsulado compacto SEMITRANS 3 y su montaje tipo Panel Mount facilitan la integración en sistemas eléctricos industriales.

Con unas dimensiones precisas de 106.4 x 61.4 x 30.5 mm, un rango de temperatura operativa de -40 °C a +150 °C y un diseño confiable de 3 pines, este módulo destaca por su versatilidad y durabilidad. Es la elección perfecta para aplicaciones donde el control eficiente de potencia es esencial.

Si necesitas más información o asistencia para integrar este módulo, no dudes en contactarnos.

Especificaciones

• Número de pieza: 22890620
• Tipo de producto: SKM200GB125D
• Línea de productos: SEMITRANS
• Estado del producto: No para nuevos diseños
• Tecnología: NPT IGBT (ultrarrápido)
• Configuración: Medio puente dual
• Carcasa: SEMITRANS 3
• Tipo de encapsulado: SEMITRANS3
• Tipo de montaje: Panel Mount
• Tipo de canal: N
• Configuración de transistor: Series
• Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
• Tensión máxima puerta-emisor: ±20 V
• Corriente máxima continua del colector: 200 A
• Corriente nominal: 150 A
• Dimensiones: 106.4 x 61.4 x 30.5 mm
• Temperatura mínima de funcionamiento: -40 °C
• Temperatura máxima de funcionamiento: +150 °C
• Conteo de pines: 3