Descripción
El módulo IGBT SEMIKRON SKM200GB125D es una solución avanzada diseñada para aplicaciones de potencia que requieren alta eficiencia y confiabilidad. Con tecnología NPT IGBT ultrarrápida, este módulo ofrece un rendimiento óptimo en configuraciones de medio puente dual, ideal para sistemas de conversión y control de energía.
Este componente soporta una corriente máxima continua del colector de 200 A y una tensión máxima colector-emisor de 1200 V, asegurando un desempeño robusto bajo condiciones exigentes. Su encapsulado compacto SEMITRANS 3 y su montaje tipo Panel Mount facilitan la integración en sistemas eléctricos industriales.
Con unas dimensiones precisas de 106.4 x 61.4 x 30.5 mm, un rango de temperatura operativa de -40 °C a +150 °C y un diseño confiable de 3 pines, este módulo destaca por su versatilidad y durabilidad. Es la elección perfecta para aplicaciones donde el control eficiente de potencia es esencial.
Si necesitas más información o asistencia para integrar este módulo, no dudes en contactarnos.
Especificaciones
- Número de pieza: 22890620
- Tipo de producto: SKM200GB125D
- Línea de productos: SEMITRANS
- Estado del producto: No para nuevos diseños
- Tecnología: NPT IGBT (ultrarrápido)
- Configuración: Medio puente dual
- Carcasa: SEMITRANS 3
- Tipo de encapsulado: SEMITRANS3
- Tipo de montaje: Panel Mount
- Tipo de canal: N
- Configuración de transistor: Series
- Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
- Tensión máxima puerta-emisor: ±20 V
- Corriente máxima continua del colector: 200 A
- Corriente nominal: 150 A
- Dimensiones: 106.4 x 61.4 x 30.5 mm
- Temperatura mínima de funcionamiento: -40 °C
- Temperatura máxima de funcionamiento: +150 °C
- Conteo de pines: 3
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